Patronat del Departament d'Enginyeria Electrònica

Data de publicació:
17-09-2019 17:53:20

Títol de l'oferta:
IMB-CNM (CSIC)-Graduado en ingeniería

Nom de l'empresa:
Centro Nacional de Microelectrónica, IMB-CNM (CSIC)

Persona de contacte:
Xavier Perpiñá

Adreça de correu electrònic:
xavier.perpinya@imb-cnm.csic.es

Telèfon de contacte:
+34 935947700 ext: 2449

Descripció de l'oferta:
Se ofrece un contrato laboral en el instituto de microelectrónica del centro nacional de microelectrónica, IMB-CNM (CSIC), situado en el campus de la Universitat Autònoma de Barcelona (Bellaterra). Esta oferta laboral se enmarca dentro de las acciones de contratación de Jóvenes (menores de 30 años) no ocupados y que no cursen estudios ni formación (denominada Garantía Juvenil), como se puede observar en la resolución de su convocatoria: https://sede.csic.gob.es/servicios/formacion-y-empleo/convocatorias-personal/-/convocatoria/37560 La duración del contrato será de 2 años.

Tasques a desenvolupar:
la actividad propuesta en este contrato pretende mejorar y adecuar las siguientes técnicas de medida: termografía infrarroja (TIR), técnicas de medida con un haz láser y termoreflectancia (TRCCD). Concretamente, el candidato deberá encargarse de realizar las siguientes actividades: 1. Monitorización on-line durante operación real. Se requiere el diseño de circuitos para análisis de dispositivos de potencia en condiciones de operación para el estudio de su fiabilidad y robustez (mecanismos de fallo). Esta actividad se implementaría en todas las técnicas mencionadas anteriormente. A nivel de prestaciones, los límites de corriente y tensión de estos circuitos se enmarcarían en los de la media potencia (600 V y 10 A). 2. Calibración automatizada de todas las técnicas. Se pretende llevar a cabo la automatización, mediante un controlador externo, de todos los procesos de calibración requeridos en cada una de las técnicas anteriormente mencionadas para medir con gran exactitud temperatura. Esto contemplaría: a) En TIR, se tendría que practicar la corrección de emisividad de la superficie del chip inspeccionado, así como estudiar diferentes alternativas tecnológicas para el depósito de substancias para recubrir la superficie armonizando su emisividad. b) En TRCCD, la calibración punto a punto de la variación de reflectividad superficial con la temperatura en una imagen térmica es totalmente necesaria. Esto se haría mediante un sistema que impone sobre la muestra un valor de temperatura conocido en condiciones de vacío para evitar efectos de convección que afectarían negativamente las medidas. c) En las técnicas basadas en un láser-sonda, la muestra tendría que desplazarse automáticamente, permitiendo una adquisición pixel a pixel más rápida del lateral del chip. 3. Post-procesado por promediado lock-in o boxcar average de las medidas de temperatura. Ambas se aplicarían en todas las técnicas comentadas. Las principales diferencias entre ambas aproximaciones de promediado es el dominio en que trabajan y la información relativa inferida. El promediado lock-in se realiza en el dominio frecuencial, mientras que el boxcar average se implementa en el temporal. En ambos casos, consiste en promediar múltiples medidas, ya sea imágenes o medidas punto-a-punto, hasta mejorar la sensibilidad y la resolución en las medidas de temperatura. 4. Sistema óptico para monitorización del punto de incidencia del láser-sonda sobre la cara lateral del chip. En las medidas basadas en un haz láser sonda, se requiere diseñar un sistema óptico para monitorizar el punto de incidencia del láser sobre la cara lateral del chip. El candidato se encargaría de dimensionar dicho sistema, haciéndolo compatible con el actual set-up. Este montaje de monitorización de haz se basaría en una fuente de luz, un láser en el visible y el uso de una cámara, donde se requeriría también elementos ópticos para controlar el paso de luz y formación de imagen. 5. Compatibilización de las técnicas superficiales con medidas on-wafer. Esta actividad pretende adecuar las técnicas superficiales (TIR y TRCCD) para la realización de medidas on-wafer. Ésta es una capacidad fundamental en un instituto con una sala blanca para agilizar el estudio de los componentes y reducir el tiempo de preparación de las muestras sin necesidad de encapsularlas.

Requisits dels candidats:
Por el tipo de actividad y los conocimientos conceptuales requeridos, el candidato tendrá que ser titulado superior universitario/grado en física, o una ingeniería superior en/ grado en ingeniería electrónica, física, o equivalente. La remuneración sería la establecida por la categoría de contrato del grupo G1 (ver documentación adjunta). Preferiblemente, estudiantes con el máster ya terminado o licenciados que no cursen ningún máster Todos los candidatos deben inscribirse o estar dados de alta en: https://garantiajuvenil.sepe.es/login.action? Los jóvenes podrán solicitar su inscripción siempre que cumplan los siguientes requisitos: 1. Tener nacionalidad española o, ser ciudadanos de la Unión o de los Estados parte del Acuerdo Económico Europeo o Suiza o ser extranjero titular de una autorización para residir en territorio español que habilite para trabajar. 2. Estar empadronado en cualquier localidad del territorio español. 3. Tener más de 16 años o menos de 30 años en el momento de solicitar la inscripción 4. No haber trabajado en el día natural anterior a la fecha de presentación de la solicitud. 5. No haber recibido acciones educativas en el día natural anterior a la fecha de presentación de la solicitud. 6. No haber recibido acciones formativas en el día natural anterior a la fecha de presentación de la solicitud. 7. Presentar una declaración expresa de tener interés en participar en el Sistema Nacional de Garantía Juvenil, adquiriendo un compromiso de participación activa en las actuaciones que se desarrollen en el marco de la Garantía Juvenil. En el caso de los demandantes de empleo, bastará con su inscripción en los servicios públicos de empleo.